Nonvolatile storage element and semiconductor integrated circuit device

不揮発性記憶素子及び半導体集積回路装置

Abstract

【課題】電荷保持膜を有する不揮発性記憶素子のトンネル消去を可能とする。 【解決手段】半導体基板上に第1絶縁膜(42)を形成し、その上に、ソース領域(8)、ドレイン領域(7)、及びそれらの間にチャネル領域(9)を形成する半導体領域(1)を設け、チャネル領域上に第2絶縁膜(2)、その上に電荷保持膜(4)、更にその上にゲート電極(6)を設ける。半導体基板内に形成される共通ソース配線領域(54)は接続孔(53H)を介してソース領域に接続される。接続孔は、第1絶縁膜をゲート電極の側壁に形成されたサイドウォールスペーサ(52)に対して自己整合的に除去することで形成される。接続孔にソース領域と共通ソース配線領域が接続されるプラグ(37)が形成される。電荷保持膜が保持する電子を放出する動作をトンネルによって行っても第2絶縁膜に電子が残存する事態を阻止できる。 【選択図】図1
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To erase a tunnel of a nonvolatile storage element having a charge holding film. <P>SOLUTION: A first insulating film (42) is formed on a semiconductor substrate, a semiconductor region (1) is formed thereon which forms a source region (8), a drain region (7), and a channel region (9) between them, a second insulating film (2) is formed on the channel region, a charge holding film (4) is formed thereon, and a gate electrode (6) is further provided thereon. A common source wiring region (54) formed at the semiconductor substrate is connected to the source region via a connection hole (53H). The connection hole is formed by removing in a self-alignment manner the first insulating film for a sidewall spacer (52) formed on the sidewall of the gate electrode. A plug (37) is formed in the connection hole to which the source region and the common source wiring region are connected. Even if the operation of discharging the electron held by the charge holding film is performed by the tunnel, a state that the electron remains in the second insulating film can be prevented. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

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    JP-2010062239-AMarch 18, 2010Toshiba Corp, 株式会社東芝半導体装置およびその製造方法